□ 세종대학교(총장 신구)는 세종대학교 물리학과 Graphene 연구소 천승현 교수와 서울대학교 재료공학부 윤의준 교수 공동연구진이 그래핀을 원하는 소자 위에 직접 성장시키는 기술을 개발하였다고 밝혔다.
탁월한 성능으로 차세대 나노소재로 각광을 받고있는 그래핀은 그동안 구리판 위에서만 성장이 가능하여 다른 기판 위에 옮기는 과정이 필수적이었고, 이 과정에서 많은 문제들이 발생하였다. 하지만 이번 연구를 통해 그래핀을 LED 기판 위에 직접 성장시키는 것이 가능해졌고 소자의 성능도 더 뛰어남을 확인하였다는 점에서 그래핀 상용화의 새로운 이정표를 세웠다고 평가된다.
천 교수와 함께 세종대학교 그래핀 연구소 김용승 연구교수와 서울대학교 주기수 박사과정생이 공동 제1저자로 참여한 이번 연구는 나노분야의 세계적 학술지 ACS 나노(ACS Nano)에 온라인 게재되었고, 그래핀 직성장과 LED 응용에 관한 두 건의 특허를 출원하였다.
특히 천 교수 공동연구진은 플라즈마 CVD 기술을 이용하여 LED 소자의 손상 없이 수 겹의 그래핀을 직접 성장시키는 데 성공하여 그래핀의 응용은 더욱 확대될 것으로 기대된다. 일반적으로 그래핀을 성장시키는 방법은 섭씨 1,000도 이상의 고온에서 이루어졌으나 이와 같은 고온의 공정과정에서 반도체나 LED 소자 등의 경우 원래의 성능이 사라지는 단점이 있었다.
이번 연구는 미래창조과학부와 한국연구재단의 대학중점연구소사업(세종대학교 그래핀 연구소), 선도연구센터사업(포스텍 토폴로지물질연구센터), 그리고 WCU 및 BK21플러스사업 (서울대학교 재료공학부)의 지원으로 수행되었다. 끝.